Биполярные Транзисторы Справочник Характеристики

Уважаемый гость, на данной странице Вам доступен материал по теме: Биполярные Транзисторы Справочник Характеристики. Скачивание возможно на компьютер и телефон через торрент, а также сервер загрузок по ссылке ниже. Рекомендуем также другие статьи из категории «Справочники».

Биполярные Транзисторы Справочник Характеристики.rar
Закачек 2050
Средняя скорость 4140 Kb/s

Биполярные Транзисторы Справочник Характеристики

Сайт для радиолюбителей

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Биполярный транзистор — один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.

Условные обозначения параметров биполярных транзисторов:

  • Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
  • Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
  • Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
  • Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
  • Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
  • Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
  • Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
  • Iкбо — Обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
  • Кш — коэффициент шума биполярного транзистора

Транзисторы биполярные малой мощности

Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт. (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.

Транзисторы биполярные средней мощности

К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт

Транзисторы биполярные большой мощности

Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.

Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.

Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.

В этом трехвыводном полупроводнике искусственно создан p-n переход, называемый инжектором. Этим барьером кристалл полупроводника делится как бы на две части базы. Поэтому однопереходный транзистор можно условно назвать двухбазовым диодом. На этой странице вы сможете найти различные справочные данные на однопереходные транзисторы.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.

Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной— цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.

Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный— обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.

В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—-обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

Транзисторы большой мощности биполярные до 100 Вт и силовые с током коллектора до 100 А широко исполь­зуются в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в регулируемых электроприводах. Транзисторы соответствуют ТУ 16-729.308-81, ТУ 16-729. 911-81 и другим стандартам и выпускаются в штыревом (транзисторы ТК142 от 40 до 63 А и ТК152 от 80 до 100 А) и фланцевом исполнении.

Транзисторы допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от 60 до +45 ˚C при атмосферном давлении 0,085—0,105 МПа, относительной влажности 98% при 35 ˚C. Максимально допустимая температура перехода от —45, —60 до +125, +100.

Обозначение основных параметров:

Рк тах — наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая

lк max — длительно допустимый наибольший постоянный ток коллектора;

lки max — наибольший допустимый импульсный ток коллектора (tи=10Mc);

наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

Uкэи mах — наибольшее импульсное напряжение коллектор-эмиттер;

напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

Iкн — ток насыщения коллектора;

h21э — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Iб max — наибольший допустимый постоянный ток базы;

Uэб max — наибольшее допустимое постоянное напряжение эмиттер-база;

f гр —допустимая (граничная) частота.

Сведения о биполярных низкочастотных транзисторах серии КТ приведены в табл. 15.1.

Таблица 15.1 Транзисторы низкочастотные серии КТ


Статьи по теме